储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY15B108QI-20LPXI MSL CY15B108QI-20LPXI 储存器 8-GQFN(3,23x3,28) 託盤 IC FRAM 8MBIT SPI 20MHZ 8GQFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY15B108QI-20LPXIT MSL CY15B108QI-20LPXIT 储存器 8-GQFN(3,23x3,28) 卷帶(TR) IC FRAM 8MBIT SPI 8GQFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY15B108QI-20LPXI MSL CY15B108QI-20LPXI 储存器 8-GQFN(3,23x3,28) 散裝 MEMORY CIRCUIT, 1MX8, CMOS, PDSO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY15B108QI-20LPXCT MSL CY15B108QI-20LPXCT 储存器 8-GQFN(3,23x3,28) 卷帶(TR) IC FRAM 8MBIT SPI 8GQFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL CY15B108QI-20LPXC MSL CY15B108QI-20LPXC 储存器 8-GQFN(3,23x3,28) 託盤 IC FRAM 8MBIT SPI 20MHZ 8GQFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL CY14B101LA-SP45XI MSL CY14B101LA-SP45XI 储存器 48-SSOP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY14B101LA-SP25XIT MSL CY14B101LA-SP25XIT 储存器 48-SSOP 卷帶(TR) IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY14B101LA-SP25XI MSL CY14B101LA-SP25XI 储存器 48-SSOP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL AS4C512M16D3LB-12BINTR MSL AS4C512M16D3LB-12BINTR 储存器 96-FBGA(13.5x9) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL CY7C1370KV33-167AXIT MSL CY7C1370KV33-167AXIT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF

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