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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL FAN73895MX |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):350mA,650mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP2123FRTAZ |
柵極驅動器 |
10-TDFN(4x4) |
管件 |
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.4V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):114 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL NCV5106ADR2G |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):85ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IVCR1401DPR |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
卷帶(TR) |
SIC MOSFET AND IGBT DRIVER, 4A, |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,SiC MOSFET|電壓 - 供電:19V ~ 25V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.7V,1.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):13ns,13ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL HIP2122FRTAZ |
柵極驅動器 |
10-TDFN(4x4) |
管件 |
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:3.7V,7.93V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):114 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL FAN7390AMX1 |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4.5A,4.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MPQ18021HN-A-AEC1-LF-Z |
柵極驅動器 |
8-SOICE |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,2.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):115 V|上升/下降時間(典型值):12ns,9ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IRS21834PBF |
柵極驅動器 |
14-DIP |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP2100EIB |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
管件 |
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:4V,7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):114 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR25607SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,2.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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