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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C128M16D3-12BCN |
储存器 |
96-FBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL AS4C128M16D3-12BAN |
储存器 |
96-FBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT53B384M32D2NP-062 XT:B |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT53B384M32D2DS-062 XT:B |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC) |
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MSL DSM2150F5V-12T6 |
储存器 |
80-TQFP(12x12) |
託盤 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 80TQFP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GE28F160C3TD70A |
储存器 |
46-VFBGA(7.29x6.96) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 46VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MTFC16GAKAEEF-AAT |
储存器 |
169-TFBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MT40A512M16JY-062E:B |
储存器 |
96-FBGA(8x14) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 70P27L15PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT LVTTL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 709269L6PFG8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,標準|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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