储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CAT28C64BW-12T MSL CAT28C64BW-12T 储存器 28-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7008L20JI8 MSL 7008L20JI8 储存器 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7008L20JI MSL 7008L20JI 储存器 84-PLCC(29.31x29.31) 管件 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7008L15PF MSL 7008L15PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7008L15JG8 MSL 7008L15JG8 储存器 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M48Z128Y-85PM1 MSL M48Z128Y-85PM1 储存器 32-PMDIP 模块 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32PMDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M48Z128Y-70PM1 MSL M48Z128Y-70PM1 储存器 32-PMDIP 模块 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32PMDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M48Z128-70PM1 MSL M48Z128-70PM1 储存器 32-PMDIP 模块 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32PMDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M48Z12-200PC1 MSL M48Z12-200PC1 储存器 24-PCDIP,CAPHAT® 管件 IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200ns|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS41C16256C-35TLI MSL IS41C16256C-35TLI 储存器 40-TSOP 託盤 IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - EDO|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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