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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M48Z35Y-70MH6E |
储存器 |
28-SOH |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT40A4G8KVA-083H:G |
储存器 |
78-FBGA(8x12) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT52L1G64D8QC-107 WT:B |
储存器 |
253-VFBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 64GBIT 933MHZ 253VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 709269L6PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,標準|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V27L12PF8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 512KBIT LVTTL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M48Z35Y-70MH1E |
储存器 |
28-SOH |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M48Z35AV-10PC1 |
储存器 |
28-PCDIP,CAPHAT® |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28PCDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7008L55G |
储存器 |
84-PGA(27.94x27.94) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7008L35J8 |
储存器 |
84-PLCC(29.31x29.31) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAT25320VP2I-GT3 |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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