储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT49BV001A-55VI MSL AT49BV001A-55VI 储存器 32-VSOP 託盤 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS42RM16800G-79BLI MSL IS42RM16800G-79BLI 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42RM16160E-79BLI-TR MSL IS42RM16160E-79BLI-TR 储存器 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT28F001GI-90T MSL CAT28F001GI-90T 储存器 32-PLCC(11.43x13.97) 託盤 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT28C256H1315 MSL CAT28C256H1315 储存器 28-TSOP 託盤 IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42RM16160E-79BLI MSL IS42RM16160E-79BLI 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42RM16160E-6BLI-TR MSL IS42RM16160E-6BLI-TR 储存器 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42RM16160E-6BLI MSL IS42RM16160E-6BLI 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS41LV16257C-35TLI MSL IS41LV16257C-35TLI 储存器 40-TSOP 託盤 IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - FP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N04L63W1AB27I MSL N04L63W1AB27I 储存器 48-BGA(6x8) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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