| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL AT49BV001A-55VI |
储存器 |
32-VSOP |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32VSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL IS42RM16800G-79BLI |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS42RM16160E-79BLI-TR |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CAT28F001GI-90T |
储存器 |
32-PLCC(11.43x13.97) |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CAT28C256H1315 |
储存器 |
28-TSOP |
託盤 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL IS42RM16160E-79BLI |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS42RM16160E-6BLI-TR |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS42RM16160E-6BLI |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS41LV16257C-35TLI |
储存器 |
40-TSOP |
託盤 |
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - FP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL N04L63W1AB27I |
储存器 |
48-BGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|