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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR |
储存器 |
152-TBGA(14x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16100F-5TL |
储存器 |
50-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16100E-6BL-TR |
储存器 |
60-TFBGA(6.4x10.1) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR |
储存器 |
16-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI 16SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:1G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49F001AN-45TI |
储存器 |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49F001AN-45JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR |
储存器 |
16-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI 16SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:1G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR |
储存器 |
24-T-PBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:1G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C11481KV18-400BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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