储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 7164L15TDB MSL 7164L15TDB 储存器 28-CDIP 管件 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL 70V09S20PF MSL 70V09S20PF 储存器 - 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:1Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 7132LA20PDGI MSL 7132LA20PDGI 储存器 48-PDIP 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48DIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q128A21BF840F TR MSL N25Q128A21BF840F TR 储存器 8-VDFPN(MLP8)(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q128A11B1240F TR MSL N25Q128A11B1240F TR 储存器 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32160D-6BI-TR MSL IS42S32160D-6BI-TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32160C-6BI-TR MSL IS42S32160C-6BI-TR 储存器 90-WBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR MSL MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR 储存器 376-WFBGA(14x14) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR MSL MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL 70V05S12PFI8 MSL 70V05S12PFI8 储存器 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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