储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F32G08AFABAWP-IT:B MSL MT29F32G08AFABAWP-IT:B 储存器 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q128A11BF840F TR MSL N25Q128A11BF840F TR 储存器 8-VDFPN(MLP8)(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR MSL MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR 储存器 366-VFBGA(12x12.7) 卷帶(TR) IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 366VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR MSL MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR 储存器 556-WFBGA(12.4x12.4) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 556WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL 7134LA35L48M MSL 7134LA35L48M 储存器 48-LCC(14.22x14.22) 託盤 IC SRAM 32KBIT PARALLEL 48LCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL 7143LA90J8/S2418 MSL 7143LA90J8/S2418 储存器 68-PLCC(24.21x24.21) 卷帶(TR) IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR24L08-W MSL BR24L08-W 储存器 8-DIP 管件 IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24L04-W MSL BR24L04-W 储存器 8-DIP 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32200E-5TL-TR MSL IS42S32200E-5TL-TR 储存器 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S32200E-5TL MSL IS42S32200E-5TL 储存器 86-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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