储存器

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MSL IS42SM16800G-6BLI MSL IS42SM16800G-6BLI 储存器 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PC28F128P30BF65A MSL PC28F128P30BF65A 储存器 64-EasyBGA(10x13) 託盤 IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:65ns|訪問時間:65 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL JS28F128P30TF79A MSL JS28F128P30TF79A 储存器 56-TSOP 託盤 IC FLASH 128MBIT PAR 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:79ns|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C11N-10SU-2.7 MSL AT24C11N-10SU-2.7 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C11N-10SU-1.8 MSL AT24C11N-10SU-1.8 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46H64M32LFKQ-5 IT:C MSL MT46H64M32LFKQ-5 IT:C 储存器 168-WFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT40A512M8RH-079E IT:B MSL MT40A512M8RH-079E IT:B 储存器 78-FBGA(9x10.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT41K128M16JT-125 V:K MSL MT41K128M16JT-125 V:K 储存器 96-FBGA(8x14) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL EDF8164A3PK-JD-F-R MSL EDF8164A3PK-JD-F-R 储存器 216-FBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL EDB8164B4PT-1DAT-F-R MSL EDB8164B4PT-1DAT-F-R 储存器 216-FBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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