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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 7025L20PFI8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7025L20PFI |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL JR28F064M29EWTA |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL JR28F064M29EWBA |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MSQ220BJC288-10 |
储存器 |
288-FCBGA(19x19) |
託盤 |
IC SRAM 512MBIT PAR 288FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:144M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MSR630AGC-2512 |
储存器 |
2512-FCBGA(27x27) |
託盤 |
IC SRAM 1GBIT PAR 676BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:1Gb|記憶體組織:16M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.7 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MSQ220BJC288-12 |
储存器 |
288-FCBGA(19x19) |
託盤 |
IC SRAM 512MBIT PAR 288FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:144M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AT49BV040A-70JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY7C199C-20ZI |
储存器 |
28-TSOP I |
袋 |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29E1T208ECHBBJ4-3:B |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1.125Tb|記憶體組織:144G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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