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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M29W320EB70N6E |
储存器 |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29W320DB70ZA6 |
储存器 |
63-TFBGA(7x11) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 63TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7025L55PF |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7025L55J |
储存器 |
84-PLCC(29.31x29.31) |
管件 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL PC48F4400P0VB0EH |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL PC48F4400P0VB0EE |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS43DR16640B-3DBI-TR |
储存器 |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16640B-3DBI |
储存器 |
84-TWBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29E768G08EEHBBJ4-3:B |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:768Gb|記憶體組織:96G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29E6T08ETHBBM5-3:B |
储存器 |
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託盤 |
IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:6Tb|記憶體組織:768G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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