储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 7025S15PF MSL 7025S15PF 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7025L55PF8 MSL 7025L55PF8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43LR16200C-6BL MSL IS43LR16200C-6BL 储存器 60-TFBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43LR16160F-6BL-TR MSL IS43LR16160F-6BL-TR 储存器 60-TFBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08CBCBBH6-6R:B MSL MT29F128G08CBCBBH6-6R:B 储存器 152-VBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MSL MT29F128G08AECBBH6-6IT:B 储存器 152-VBGA(14x18) 託盤 IC FLSH 128GBIT PARALLEL 152VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16160F-6BLI-TR MSL IS43LR16160F-6BLI-TR 储存器 60-TFBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16160F-6BLI MSL IS43LR16160F-6BLI 储存器 60-TFBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16160F-6BL MSL IS43LR16160F-6BL 储存器 60-TFBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43DR86400C-3DBI MSL IS43DR86400C-3DBI 储存器 60-TWBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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