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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NAND01GW3A2AN6E |
储存器 |
48-TSOP |
管件 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NAND01GW3A0AN6E |
储存器 |
48-TSOP |
管件 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MSR820AJE288-10 |
储存器 |
288-FCBGA(19x19) |
託盤 |
IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MSR622BJE288-10 |
储存器 |
288-FCBGA(19x19) |
託盤 |
IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MSR820BJC288-12 |
储存器 |
288-FCBGA(19x19) |
託盤 |
IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT29F16G08ABABAWP-AIT:B |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F128G08CECDBJ4-6R:D |
储存器 |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M29W320ET70ZE6E |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29W320EB70ZE6E |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43LR16320B-6BL |
储存器 |
60-TFBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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