储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL NAND01GW3A2AN6E MSL NAND01GW3A2AN6E 储存器 48-TSOP 管件 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NAND01GW3A0AN6E MSL NAND01GW3A0AN6E 储存器 48-TSOP 管件 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MSR820AJE288-10 MSL MSR820AJE288-10 储存器 288-FCBGA(19x19) 託盤 IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MSR622BJE288-10 MSL MSR622BJE288-10 储存器 288-FCBGA(19x19) 託盤 IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MSR820BJC288-12 MSL MSR820BJC288-12 储存器 288-FCBGA(19x19) 託盤 IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT29F16G08ABABAWP-AIT:B MSL MT29F16G08ABABAWP-AIT:B 储存器 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F128G08CECDBJ4-6R:D MSL MT29F128G08CECDBJ4-6R:D 储存器 132-VBGA(12x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M29W320ET70ZE6E MSL M29W320ET70ZE6E 储存器 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M29W320EB70ZE6E MSL M29W320EB70ZE6E 储存器 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16320B-6BL MSL IS43LR16320B-6BL 储存器 60-TFBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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