| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 7025S25PF8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7025S25G |
储存器 |
84-PGA(27.94x27.94) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43LR16800F-6BL |
储存器 |
60-TFBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43LR16400B-6BLI-TR |
储存器 |
60-TFBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC28F256P30TFG |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC28F256P30BFR |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7025S20PF8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7025S20G |
储存器 |
84-PGA(27.94x27.94) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NAND256W4A0AN6E |
储存器 |
48-TSOP |
管件 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50ns|訪問時間:50 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NAND256W3A0AN6E |
储存器 |
48-TSOP |
管件 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50ns|訪問時間:50 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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