| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IR2106PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2308SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR21363SPBF |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):125ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2103SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):210mA,360mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXDN430MYI |
柵極驅動器 |
TO-263-5 |
盒 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):30A,30A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):18ns,16ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR21064SPBF |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL L6569A |
柵極驅動器 |
8-迷你型 DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 16.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):170mA,270mA|輸入類型:RC 輸入電路|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL L6385 |
柵極驅動器 |
8-迷你型 DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:17V(最大)|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,3.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP6602BCB-T |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL HIP6601BCBZ |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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