存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL TH58NVG3S0HTAI0 MSL TH58NVG3S0HTAI0 储存器 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7B135-35JI MSL CY7B135-35JI 储存器 52-PLCC(19.13x19.13) 散裝 IC SRAM 32KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14U256LA-BA35XI MSL CY14U256LA-BA35XI 储存器 48-FBGA(6x10) 託盤 IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62146GN30-45BVXIT MSL CY62146GN30-45BVXIT 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28C64-12SI MSL AT28C64-12SI 储存器 28-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT25SF081B-SHB-B MSL AT25SF081B-SHB-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL S-93A46BD0A-A8T1U3 MSL S-93A46BD0A-A8T1U3 储存器 HSNT-8-A 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE HSNT8A 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1041BNV33L-12ZXC MSL CY7C1041BNV33L-12ZXC 储存器 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS45S16320F-7TLA1-TR MSL IS45S16320F-7TLA1-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1328G-133AXI MSL CY7C1328G-133AXI 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项