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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S3R3216R1M-XI70T |
储存器 |
48-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
MRAM MEMORY IC 32MBIT PPI 1.8V 7 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:PPI - 並行|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.98V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF1601-70-4C-B3KE-T |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT49F001NT-55JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MX25R4035FZUIL0 |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24AA64T-I/MC |
储存器 |
8-DFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46V32M16P-6T L:F TR |
储存器 |
66-TSOP |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46H64M32LFBQ-48 WT:C |
储存器 |
90-FBGA(8x13) |
散裝 |
IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14.4ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S-93C76CD0H-J8T2U3 |
储存器 |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOPJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S-93A56BD0A-K8T2U3 |
储存器 |
8-TMSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TMSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL TE28F800C3BA90 |
储存器 |
48-TSOP |
散裝 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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