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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT25128AN-10SI-2.7 |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL N25Q512A83GSF40F TR |
储存器 |
16-SOP2 |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT SPI 16SOP2 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:128M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62C5128EL-45TLI |
储存器 |
32-sTSOP I |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93G86FVM-3AGTTR |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93H56RFVM-2CTR |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CAT24C128HU4IGT3 |
储存器 |
8-UDFN-EP(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q80DVUXIE TR |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J |
储存器 |
149-WFBGA(8x9.5) |
盒 |
IC FLASH RAM 4GBIT ONFI 149WFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC),DRAM - LPDDR4|存儲容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR4)|記憶體組織:512M x 8(NAND),128M x 32(LPDDR4)|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61WV102416DBLL-10BLI-TR |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25WD20CKIGR |
储存器 |
8-USON(1.5x1.5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:97µs,6ms|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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