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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY14B104NA-ZS45XI |
储存器 |
44-TSOP II |
託盤 |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1381S-133AXC |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
袋 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24C04D-STUM-T |
储存器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M93C46-WMN6TP |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 25LC080D-E/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 25AA160C-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DS28E05X+U |
储存器 |
4-WLP(0.91x0.91) |
帶 |
IC EEPROM 896BIT 1-WIRE 4WLP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:896 比特|記憶體組織:112 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.71V ~ 3.63V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128BNLL-70SXCT |
储存器 |
32-SOIC |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GD25WD80ETIGY |
储存器 |
8-SOP |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,6ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25D40CTEGR |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:80µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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