存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C194-25SC MSL CY7C194-25SC 储存器 - 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:64K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C199-45SC MSL CY7C199-45SC 储存器 - 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25F512B-SSH-B MSL AT25F512B-SSH-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 512KBIT SPI 70MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:70 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT93C66A-10TI-1.8 MSL AT93C66A-10TI-1.8 储存器 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 4KBIT 3-WIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1370SV25-167AXC MSL CY7C1370SV25-167AXC 储存器 100-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1370S-200AXC MSL CY7C1370S-200AXC 储存器 100-TQFP(14x14) IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25080AN-SQ27DB MSL AT25080AN-SQ27DB 储存器 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL BR25S128F-WE2 MSL BR25S128F-WE2 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M10042040054X0IWAY MSL M10042040054X0IWAY 储存器 8-DFN(5x6) 託盤 IC RAM 4MBIT 54MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:1M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:54 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.71V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MT46V64M8BN-5B:F TR MSL MT46V64M8BN-5B:F TR 储存器 60-FBGA(10x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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