存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C194-25SCQ MSL CY7C194-25SCQ 储存器 - 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:64K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C194-35SCQ MSL CY7C194-35SCQ 储存器 - 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:64K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EM032LXOAB320IS1T MSL EM032LXOAB320IS1T 储存器 24-TBGA(6x8) 託盤 IC RAM 32MBIT XSPI/OCTAL 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL CY14B104K-ZS45XI MSL CY14B104K-ZS45XI 储存器 44-TSOP II 託盤 IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24T02FVJ-WE2 MSL BR24T02FVJ-WE2 储存器 8-TSSOP-BJ 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24G32FJ-3AGTE2 MSL BR24G32FJ-3AGTE2 储存器 8-SOP-J 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S83200B-6T MSL IS42S83200B-6T 储存器 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S29GL512T11FHB020 MSL S29GL512T11FHB020 储存器 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL R1LP0408DSP-5SI#S0 MSL R1LP0408DSP-5SI#S0 储存器 32-SOP 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H128M8CF-3:H TR MSL MT47H128M8CF-3:H TR 储存器 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)

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