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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 25CSM04-I/MF |
储存器 |
8-WDFN(5x6) |
管件 |
IC EEPROM 4MBIT SPI 8MHZ 8WDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:8 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M95512-WDW6TP |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25LP032D-JBLE |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS61WV20488FBLL-10T2LI |
储存器 |
54-TSOP II |
散裝 |
IC SRAM 16MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61WV102416FBLL-10T2LI |
储存器 |
54-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT57W512H36JF-7.5 |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT HSTL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:500 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY62177EV30LL-55BAXIT |
储存器 |
48-FBGA(8x9.5) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W632GU6QB11I |
储存器 |
96-VFBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 71024S20YGI8 |
储存器 |
32-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR25S128FV-WE2 |
储存器 |
8-SSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8SSOPB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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