存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24LC01B/SN MSL 24LC01B/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT93C46EN-SH-B MSL AT93C46EN-SH-B 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66BQ6NBUAGJ MSL W66BQ6NBUAGJ 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W66BP6NBUAGJ MSL W66BP6NBUAGJ 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS64LPS12832A-200TQLA3-TR MSL IS64LPS12832A-200TQLA3-TR 储存器 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR MSL IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR 储存器 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1338G-100AXCT MSL CY7C1338G-100AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1327G-166AXCT MSL CY7C1327G-166AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25AA128T-I/SN MSL 25AA128T-I/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC256-E/SN MSL 24LC256-E/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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