存儲器

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MSL IS22EF16G-JQLA2-TR MSL IS22EF16G-JQLA2-TR 储存器 100-LFBGA(14x18) 卷帶(TR) 16GB, 100 BALL FBGA, 3.3V, ROHS, 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS34ML08G088-BLI-TR MSL IS34ML08G088-BLI-TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) 8GB (X8, 8BIT ECC), 63 BALL VFBG 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns,700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25LP256E-JLLA3 MSL IS25LP256E-JLLA3 储存器 8-WSON(8x6) 散裝 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS62WV51216HBLL-45TLI-TR MSL IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16320C-6BLI MSL IS43LR16320C-6BLI 储存器 60-TFBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1350S-133AXCT MSL CY7C1350S-133AXCT 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1399B-15VC MSL CY7C1399B-15VC 储存器 28-SOJ 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62136CV30LL-70BAIT MSL CY62136CV30LL-70BAIT 储存器 48-FBGA(7x7) 散裝 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS34ML08G168-BLI-TR MSL IS34ML08G168-BLI-TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) 8 GB (X16, 8BIT ECC), 64 BALL VF 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns,700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E256M16D1FW-046 AAT:B MSL MT53E256M16D1FW-046 AAT:B 储存器 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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