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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT45DB021D-MH-T |
储存器 |
8-UDFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL M27C512-90C1TR |
储存器 |
32-PLCC(11.43x13.97) |
卷帶(TR) |
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS62WVS5128GALL-30NLI-TR |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四路 I/O,SDI|時鐘頻率:30 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:23 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16400D-6BLI-TR |
储存器 |
60-迷你型BGA(6.4x10.1) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128BLL-70ZAE |
储存器 |
32-TSOP |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY62128VLL-55ZIT |
储存器 |
- |
散裝 |
SRAM 1M-BIT 128K X 8 55NS |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL NLQ43PFS-8NET |
储存器 |
200-FBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL NLQ43PFS-6NET |
储存器 |
200-FBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 93C46CT-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC46AXT-E/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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