存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT25640AY1-10YI-2.7 MSL AT25640AY1-10YI-2.7 储存器 8-MAP(3x4.9) 管件 IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8MAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L6406EMBI-12G MSL MX25L6406EMBI-12G 储存器 8-VSOP 管件 IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 8VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:86 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR MSL IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR MSL IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL256SDSBHI210 MSL S25FL256SDSBHI210 储存器 24-BGA(8x6) 散裝 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1019BV33-15ZC MSL CY7C1019BV33-15ZC 储存器 32-TSOP II 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MX25L6439EMBI-10G MSL MX25L6439EMBI-10G 储存器 8-VSOP 管件 IC FLASH 64MBIT SPI 104MHZ 8VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC640T-E/SN MSL 25LC640T-E/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 3MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS42S16320D-7TL-TR MSL IS42S16320D-7TL-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NLQ46PFS-8NET MSL NLQ46PFS-8NET 储存器 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)

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