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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT25160N-10SC-2.7 |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25SF641B-SHB-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25XE321D-UUN-T |
储存器 |
12-WLCSP(2.39x1.77) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 12WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,12ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL512S11FHB020 |
储存器 |
64-FBGA(11x13) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MR25H256MDF |
储存器 |
8-DFN(5x6) |
託盤 |
IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT49LH004-33JX |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49LH004-33JC |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL M48Z58-70PC1 |
储存器 |
28-PCDIP,CAPHAT® |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT PAR 28PCDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SFEM4096B1EA1TO-I-GE-12P-STD |
储存器 |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 32GBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 23K256T-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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