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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W66BP2NQQAFJ TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL 24AA04T-I/OT |
储存器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC04BT-I/OT |
储存器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25F64FWIGR |
储存器 |
8-WSON(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25LP032D-JNLA3-TR |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL SFEM020GB1ED1TO-I-6F-31P-STD |
储存器 |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 160GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:160Gb|記憶體組織:20G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL DS1220AB-150+ |
储存器 |
24-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1418KV18-250BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1380DV33-200AXI |
储存器 |
100-TQFP(14x20) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT93C66-10SC-2.5 |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT 3-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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