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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M24256-DRDW3TP/K |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT25FF041A-SHN-B |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:2M x 2|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:22µs,6.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL BR24A01AF-WME2 |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AS4C128M16D2A-25BINTR |
储存器 |
84-TFBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53E768M64D4HJ-046 AIT MS:C TR |
储存器 |
556-WFBGA(12.4x12.4) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 48GBIT PAR 556WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL FM25L16B-GTR |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
FRAM (FERROELECTRIC RAM) MEMORY |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 74F219SJ |
储存器 |
16-SOP |
散裝 |
IC RAM 64BIT PARALLEL 16SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:RAM|存儲容量:64 比特|記憶體組織:16 x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:29ns|訪問時間:27 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W74M25JWZEIQ |
储存器 |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT 104MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL GD25LT256EB2RY |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,2ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SFEM064GB1ED1TO-A-6F-111-STD |
储存器 |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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