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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C8M32SA-6BINTR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93G66F-3AGTE2 |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24CW1280T-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93C46BXT-E/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 93C56AT-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128BNLL-55SIT |
储存器 |
32-SOIC |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1018CV33-10VCT |
储存器 |
32-SOJ |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S26HL512TFPBHV010 |
储存器 |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S26HL512TFPBHV000 |
储存器 |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL BR25H040FVT-2CE2 |
储存器 |
8-TSSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SPI 8TSSOPB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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