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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 93AA56A-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL128S90FHSS23 |
储存器 |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL128S90FHSS13 |
储存器 |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C64-FMN6TP |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC02BT-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GS8642Z36GB-250IV |
储存器 |
119-FPBGA(22x14) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 119FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V,2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V657S10BFG |
储存器 |
208-CABGA(15x15) |
託盤 |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24C1024C1-10CI-2.7 |
储存器 |
8-LAP(8x5) |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8LAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49BV040-12JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CDP1821CD3R1783 |
储存器 |
16-SBDIP |
散裝 |
IC SRAM 1KBIT PARALLEL 16SBDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Kb|記憶體組織:1K x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:420ns|訪問時間:255 ns|電壓 - 供電:4V ~ 6.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) |
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