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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT25DL161-SSHN-B |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 100MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:256 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S-24C16DI-J8T1U5 |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:500 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25U8035FM1J |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:2M x 4,4M x 2,8M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,3.6ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL BR25S320NUX-WTR |
储存器 |
VSON008X2030 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT VSON008X2030 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93L86RFJ-WE2 |
储存器 |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT24C04C4ATR |
储存器 |
4-WLCSP(0.84x0.86) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 4WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25V2033FM1I |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29AL016J70TFA010 |
储存器 |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25LP032D-JTLA3-TR |
储存器 |
8-USON(4x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS61LF25636B-7.5TQLI-TR |
储存器 |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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