存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT42L128M32D1TJ-25 IT:ATR MSL MT42L128M32D1TJ-25 IT:ATR 储存器 134-FBGA(10x11.5) 卷帶(TR) LPDDR2 (MICRON), 4G, 128M X 32, 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT27C800-12PC MSL AT27C800-12PC 储存器 42-PDIP 管件 IC EPROM 8MBIT PARALLEL 42DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 24LC08BT-I/SN MSL 24LC08BT-I/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA025E64T-I/OT MSL 24AA025E64T-I/OT 储存器 SOT-23-6 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-6 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1021BV33-12ZC MSL CY7C1021BV33-12ZC 储存器 44-TSOP II IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 85C82-E/P MSL 85C82-E/P 储存器 8-PDIP 散裝 IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AS4C1M16S-6TIN MSL AS4C1M16S-6TIN 储存器 50-TSOP II 託盤 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25DL161-MHN-Y MSL AT25DL161-MHN-Y 储存器 8-UDFN(5x6) 託盤 IC FLASH 16MBIT SPI 100MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:256 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C028V-25AXC MSL CY7C028V-25AXC 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C2263KV18-550BZXI MSL CY7C2263KV18-550BZXI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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