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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 24AA1026-I/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1020CV26-15ZSXE |
储存器 |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S25FL032P0XMFV000 |
储存器 |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL064S80TFB043 |
储存器 |
48-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AT45DB081B-RI-2.5 |
储存器 |
28-SOIC |
管件 |
IC FLASH 8MBIT SPI 15MHZ 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:264 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:15 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 27S13PC |
储存器 |
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散裝 |
PROGRAMMABLE ROM |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 27S181PC-G |
储存器 |
- |
散裝 |
AM27S181 - 1024X8 BIPOLAR PROM |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AS6C8008B-55ZIN |
储存器 |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43R16320E-5TLI-TR |
储存器 |
66-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S34MS01G200GHI000 |
储存器 |
67-BGA(8x6.5) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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