存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL SST25VF016B-50-4I-QAF-T MSL SST25VF016B-50-4I-QAF-T 储存器 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 50MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C57XI MSL CAT93C57XI 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S-93A66BD0A-A8T1U3 MSL S-93A66BD0A-A8T1U3 储存器 HSNT-8-A 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE HSNT8A 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 0436A46QLAB-5 MSL 0436A46QLAB-5 储存器 - 散裝 IC SRAM 4MBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL HM28100TTI5SEZ MSL HM28100TTI5SEZ 储存器 - 散裝 STANDARD SRAM, 1MX8, 55NS, CMOS, 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CAT24C04WI-GT3 MSL CAT24C04WI-GT3 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24C02CT-I/SN MSL 24C02CT-I/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX30UF2G18AC-XKI MSL MX30UF2G18AC-XKI 储存器 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVO16M8DALL-200BLI MSL IS66WVO16M8DALL-200BLI 储存器 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC PSRAM 128MBIT SPI/OCT 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL R1RW0408DGE-2PI#B1 MSL R1RW0408DGE-2PI#B1 储存器 36-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项