存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14B104NA-ZS20XI MSL CY14B104NA-ZS20XI 储存器 44-TSOP II 託盤 IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1356C-250AXCT MSL CY7C1356C-250AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1363C-133AJXI MSL CY7C1363C-133AJXI 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43DR16160A-3DBI-TR MSL IS43DR16160A-3DBI-TR 储存器 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25DF641A-MH-Y MSL AT25DF641A-MH-Y 储存器 8-UDFN(5x6) 託盤 IC FLASH 64MBIT SPI 100MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:256 位元組 x 32K 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL BR24H128NUX-5ACTR MSL BR24H128NUX-5ACTR 储存器 VSON008X2030 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT I2C 8VSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL BR24G512F-3AGTE2 MSL BR24G512F-3AGTE2 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25V2006EM1I-13G MSL MX25V2006EM1I-13G 储存器 8-SOP 管件 IC FLASH 2MBIT SPI 79MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.35V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93LC46BT-E/OT MSL 93LC46BT-E/OT 储存器 SOT-23-6 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AS4C64M16D1-6TIN MSL AS4C64M16D1-6TIN 储存器 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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