存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W66BL6NBUAGJ MSL W66BL6NBUAGJ 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS46TR16128CL-125KBLA2-TR MSL IS46TR16128CL-125KBLA2-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL 27S21AJC MSL 27S21AJC 储存器 - 散裝 OTP ROM, 256X4, 60NS, TTL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 27S25AJC MSL 27S25AJC 储存器 - 散裝 27S25AJC 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 27S21APC MSL 27S21APC 储存器 - 散裝 OTP ROM, 256X4, 60NS, TTL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL LE25S161XATAG MSL LE25S161XATAG 储存器 8-WLCSP(2.92x1.53) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:70 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 90°C(TA)
MSL S29AS008J70BFI030 MSL S29AS008J70BFI030 储存器 48-FBGA(8.15x6.15) 託盤 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL FEMC008GTTG7-T13-17 MSL FEMC008GTTG7-T13-17 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL IS43TR81024B-125KBLI MSL IS43TR81024B-125KBLI 储存器 78-TWBGA(10x14) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL 25LC320T-E/SN MSL 25LC320T-E/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT SPI 2MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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