存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS34ML02G084-BLI-TR MSL IS34ML02G084-BLI-TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PAR 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28C010-12JU-235 MSL AT28C010-12JU-235 储存器 32-PLCC(11.43x13.97) 卷帶(TR) IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL QS79836-25QF MSL QS79836-25QF 储存器 - 散裝 IC SRAM 288KBIT 40MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:288Kb|記憶體組織:8K x 36|記憶體介面:-|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL W25Q64JVZEIM MSL W25Q64JVZEIM 储存器 8-WSON(8x6) 管件 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q64JVZEIQ MSL W25Q64JVZEIQ 储存器 8-WSON(8x6) 管件 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25C320/P MSL 25C320/P 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 32KBIT SPI 3MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR24S32NUX-WTR MSL BR24S32NUX-WTR 储存器 VSON008X2030 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT VSON008X2030 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CDP68HC68RZE MSL CDP68HC68RZE 储存器 - 散裝 256 X 8 STATIC RAM WITH SPI INTE 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1021BV33L-15VC MSL CY7C1021BV33L-15VC 储存器 44-SOJ 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C512M16D4-79BINTR MSL AS4C512M16D4-79BINTR 储存器 96-FBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT POD 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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