存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7S1061G30-10BVXI MSL CY7S1061G30-10BVXI 储存器 48-VFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LD32128B-18BLI-TR MSL IS43LD32128B-18BLI-TR 储存器 134-TFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY15B102QSN-108SXIT MSL CY15B102QSN-108SXIT 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62127DV30LL-55BVI MSL CY62127DV30LL-55BVI 储存器 48-VFBGA(6x8) 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT34C02BY5-10YU-1.7 MSL AT34C02BY5-10YU-1.7 储存器 8-DFN(2x3) 散裝 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24CS512-E/SM MSL 24CS512-E/SM 储存器 8-SOIJ 管件 IC EEPROM 512KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24CS512T-E/SM MSL 24CS512T-E/SM 储存器 8-SOIJ 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 93LC76T/SN MSL 93LC76T/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8,512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 93AA86/SN MSL 93AA86/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S70FL01GSDPMFI013 MSL S70FL01GSDPMFI013 储存器 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项