存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD25B512MEYIGR MSL GD25B512MEYIGR 储存器 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25M02-U1UM0B-T MSL AT25M02-U1UM0B-T 储存器 8-WLCSP 卷帶(TR) IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR MSL IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR 储存器 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR MSL IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR 储存器 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q64JWZPIQ MSL W25Q64JWZPIQ 储存器 8-WSON(6x5) 管件 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49LH00B4-33JC MSL AT49LH00B4-33JC 储存器 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL BQ2022ALPR MSL BQ2022ALPR 储存器 TO-92-3 剪切帶(CT) IC EPROM 1KBIT SGL WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:32 位元組 x 4 頁|記憶體介面:單線|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.65V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W25Q10RLSSJQ MSL W25Q10RLSSJQ 储存器 - 管件 IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1312SV18-167BZXC MSL CY7C1312SV18-167BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1314SV18-200BZC MSL CY7C1314SV18-200BZC 储存器 165-FBGA(13x15) IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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