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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL GD25B512MEYIGR |
储存器 |
8-WSON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25M02-U1UM0B-T |
储存器 |
8-WLCSP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR |
储存器 |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR |
储存器 |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q64JWZPIQ |
储存器 |
8-WSON(6x5) |
管件 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49LH00B4-33JC |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL BQ2022ALPR |
储存器 |
TO-92-3 |
剪切帶(CT) |
IC EPROM 1KBIT SGL WIRE TO92-3 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:32 位元組 x 4 頁|記憶體介面:單線|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.65V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W25Q10RLSSJQ |
储存器 |
- |
管件 |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CY7C1312SV18-167BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1314SV18-200BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
袋 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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