存儲器

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MSL 71V2556S133PFG8 MSL 71V2556S133PFG8 储存器 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24CM02-SSHD-B MSL AT24CM02-SSHD-B 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT25QL128ABA1EW9-0SIT TR MSL MT25QL128ABA1EW9-0SIT TR 储存器 8-WPDFN(8x6)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61LV12816L-8TL-TR MSL IS61LV12816L-8TL-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:8ns|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 MSL IS64WV6416EEBLL-10CTLA3 储存器 44-TSOP II 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL SST39VF802C-70-4I-B3KE MSL SST39VF802C-70-4I-B3KE 储存器 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR25H128F-2ACE2 MSL BR25H128F-2ACE2 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CMM5104D3 MSL CMM5104D3 储存器 18-CERDIP 散裝 IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CERDIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Kb|記憶體組織:4K x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:250ns|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL NMC2147HF-3-MIL MSL NMC2147HF-3-MIL 储存器 18-CFlatPack 散裝 STANDARD SRAM, 4KX1, 55NS 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Kb|記憶體組織:4K x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA)
MSL MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR MSL MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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