储存器

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MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25HP256W-10SI-2.7 MSL AT25HP256W-10SI-2.7 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25HP256W-10SC-2.7 MSL AT25HP256W-10SC-2.7 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N02KZBIBE TR MSL W29N02KZBIBE TR 储存器 63-FBGA(11x9) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT 63-FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N02KVBIAE TR MSL W29N02KVBIAE TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N02KVBIAF TR MSL W29N02KVBIAF TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT 63-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL064S90FHVV10 MSL S29GL064S90FHVV10 储存器 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL GD5F2GQ5UEYIGY MSL GD5F2GQ5UEYIGY 储存器 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5UEYIHY MSL GD5F2GQ5UEYIHY 储存器 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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