| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR |
储存器 |
100-VBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
PDF |
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MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C |
储存器 |
100-VBGA(12x18) |
散裝 |
IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
PDF |