储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A MSL MT53E1G32D2FW-046 WT:A 储存器 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B 储存器 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:A 储存器 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR MSL MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR 储存器 100-VBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) PDF
MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C MSL MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C 储存器 100-VBGA(12x18) 散裝 IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) PDF

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