| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT47H64M8B6-3 IT:D TR |
储存器 |
60-FBGA |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 7132LA100J |
储存器 |
52-PLCC(19.13x19.13) |
管件 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7132LA100C |
储存器 |
48-SIDE BRAZED |
管件 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71321SA55TF8 |
储存器 |
64-TQFP(10x10) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71321SA55TF |
储存器 |
64-TQFP(10x10) |
託盤 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS43LD32320A-25BL-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43LD32320A-25BLI-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT47H64M8B6-37E IT:D TR |
储存器 |
60-FBGA |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:500 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT47H64M8B6-5E IT:D TR |
储存器 |
60-FBGA |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:600 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43LD16640A-3BL-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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