储存器

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MSL MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D MSL MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D 储存器 366-WFBGA(15x15) 託盤 IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 366WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53B512M64D4TX-053 WT:C MSL MT53B512M64D4TX-053 WT:C 储存器 - 託盤 IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D MSL MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D 储存器 - 託盤 IC DRAM 6GBIT 1.866GHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:6Gb|記憶體組織:1.5G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B MSL MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B 储存器 - IC DRAM 8GBIT 933MHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT51K256M32HF-70:B MSL MT51K256M32HF-70:B 储存器 - IC RAM 8GBIT PARALLEL 1.79GHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.3V ~ 1.545V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT51K256M32HF-60 N:B MSL MT51K256M32HF-60 N:B 储存器 - IC RAM 8GBIT PARALLEL 1.5GHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.3V ~ 1.545V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL PCA8581T/6,112 MSL PCA8581T/6,112 储存器 8-SO 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 100KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL PCA8581P/F6,112 MSL PCA8581P/F6,112 储存器 8-DIP 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 100KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1623KV18-333BZXC MSL CY7C1623KV18-333BZXC 储存器 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:144Mb|記憶體組織:8M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1614KV18-300BZC MSL CY7C1614KV18-300BZC 储存器 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:144Mb|記憶體組織:4M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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