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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY14MB064J2-SXI |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PCF8594C-2T/02,118 |
储存器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PCF85116-3P/01,112 |
储存器 |
8-DIP |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT61K256M32JE-14:A |
储存器 |
180-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 1.79GHZ 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT61K256M32JE-12:A |
储存器 |
180-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL PCF85116-3T/01,118 |
储存器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PCF85116-3T/01,112 |
储存器 |
8-SO |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F64G08CBABBWPR:B |
储存器 |
48-TSOP I |
管件 |
IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F32G08CBADBWPR:D |
储存器 |
48-TSOP I |
管件 |
IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1380DV33-200BZI |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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