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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT61M256M32JE-12 N:A |
储存器 |
180-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.21V ~ 1.29V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL DS1265W-100IND+ |
储存器 |
36-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M48Z2M1Y-70PL1 |
储存器 |
36-PLDIP 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT61M256M32JE-12 AAT:A |
储存器 |
180-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.21V ~ 1.29V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL MT61M256M32JE-10 N:A |
储存器 |
180-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 8GBIT PAR 1.25GHZ 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.25 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.21V ~ 1.29V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 7132LA55PDGI |
储存器 |
48-PDIP |
管件 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7132LA55P |
储存器 |
48-PDIP |
管件 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M48Z2M1V-85PL1 |
储存器 |
36-PLDIP 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL PCF8598C-2T/02,118 |
储存器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 100KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY14MB256J2-SXI |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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