储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14MB064J1-SXI MSL CY14MB064J1-SXI 储存器 8-SOIC 管件 IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25LQ010B-JKLE-TR MSL IS25LQ010B-JKLE-TR 储存器 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS25LP064-JKLE MSL IS25LP064-JKLE 储存器 8-WSON(6x5) 託盤 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL DS1330ABP-70IND+ MSL DS1330ABP-70IND+ 储存器 34-PowerCap 模块 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1270AB-70# MSL DS1270AB-70# 储存器 36-EDIP 管件 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7132SA100J MSL 7132SA100J 储存器 52-PLCC(19.13x19.13) 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7132SA100C MSL 7132SA100C 储存器 48-SIDE BRAZED 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08CBCCBH6-6R:C MSL MT29F128G08CBCCBH6-6R:C 储存器 152-VBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C512M16D3L-12BCN MSL AS4C512M16D3L-12BCN 储存器 96-FBGA(9x14) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MTFC128GAOAMEA-WT ES MSL MTFC128GAOAMEA-WT ES 储存器 - 託盤 IC FLASH 1TBIT MMC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)

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