| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS43DR16128B-3DBLI-TR |
储存器 |
84-LFBGA(10.5x13.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16128B-3DBLI |
储存器 |
84-TW-BGA(10.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7133LA55PF8 |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7133LA55PF |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT25QL128ABA8E54-0SIT TR |
储存器 |
24-T-PBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MTFC64GAOAMEA-WT ES TR |
储存器 |
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卷帶(TR) |
IC FLASH 512GBIT MMC 153BGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL FM24V01-G |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FRAM 128KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FM24CL64B-GATR |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS43DR16128B-25EBLI-TR |
储存器 |
84-TW-BGA(10.5x13.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16128B-25EBLI |
储存器 |
84-TW-BGA(10.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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